Die Physik magnetoresistiver Effekte - wie zum Beispiel der Tunnelmagnetwiderstand (TMR) oder der anisotrope Magnetwiderstand (AMR) - ist für die Grundlagenforschung und für die Realisierung von spin-elektronischen Bauelementen von großem Interesse. Ziel der Spin-Elektronik ist die Realisierung von Systemen, die in der Lage sind, Informationen mit Hilfe des Spins der Elektronen zu speichern und zu übermitteln. Mit solchen Bauelementen wäre es möglich nicht flüchtige Datenspeicher zu bauen, die sich zusätzlich durch eine hohe Datenübertragungsrate, große Integrationsdichte und geringen Stromverbrauch auszeichnen würden.

In der Regel werden magnetoresisitve Effekte mit Hilfe von Stromtransportmessungen untersucht. Bei diesen Experimenten wird das Spannungssignal durch die Stromverteilung im gesamten Bauelement bestimmt. Aus diesem Grund ist man nicht in der Lage Stromumverteilungseffekte von dem eigentlichen magnetischen Schaltvorgang zu unterscheiden. Im Rahmen unserer Forschungsvorhaben soll daher der Einfluss der lokalen magnetischen Eigenschaften (Domänenbildung, Magnetisierungsorientierung) auf den Magnetwiderstand von ferromagnetischen dünnen Filmen und Heterostrukturen ortsaufgelöst untersucht werden.

Desweiteren unstersuchen wir den Einfluss der Domänenbildung auf lokale supraleitende Eigenschaften in Ferromagnet/Supraleiter-Hybridstrukturen.

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